摘要
1、屏蔽的商业必要性；
2、屏蔽的概念；
3、电路之间、屏蔽之间更大（的间距）、矩形（或不规则）的屏蔽外形更好，以避免共振；
4、趋肤效应 （很难挡住低频）
5、孔隙 （很难挡住高频）
6、低频（磁场）屏蔽
7、截至波导
8、导体垫圈（用于填缝）
9、可视组件的屏蔽（如显示皮、指示灯、键盘）
10、通风（散热）孔的屏蔽
11、用喷漆或电镀的塑料来屏蔽
12、非金属屏蔽
13、屏蔽室的安装
14、板级电磁屏蔽

1、屏蔽的商业必要性
笔者提出的一个重要概念：
一个项目在计划阶段就要考虑屏蔽问题，这样花费在屏蔽措施上的成本才会最低。
若等到问题暴露出来再去查漏补缺，往往需要付出相当大的代价。
屏蔽措施往往带来费用和仪器重量的增加，若能以其他EMC方式加以解决，就尽量减少屏蔽。（言下之意屏蔽是最后一招）
对于PCB应注意以下两点：
1、使导线及元器件尽量靠近一块大的金属板（这个金属板不是指屏蔽体）
2、使电气部件及线路尽量靠近地层（减少层间信号的电磁干扰、地层可以吸收部分干扰 ）这样，即使是需要加屏蔽，也可以降低对屏蔽效能（SE shiedling effectiveness）的需求。

2、屏蔽的概念
屏蔽相当于一个滤波器，放置于电磁波的传播路径上，对其中的一部分频段形成高阻抗。阻抗比越大，屏蔽效能越好。
对于一般金属，0.5mm的厚度就能对1MHz的电磁波产生较好的屏蔽效果，对100MHz能有非常好的屏蔽效果，问题在于薄层金属屏蔽对1MHz以下或孔隙来说，屏蔽效果就不行了，本文重点介绍这方面。

3、大的间距、矩形屏蔽会更好
(1) 电路之间、屏蔽之间更大的间距能够减少相互干扰；
(2) 矩形（或不规则）的屏蔽外形，能够尽量避免频率共振；正方形的外壳往往容易引起共振；
但总的来说，电路板一般位于屏蔽体内，其元器件、线路等都会改变预期的共振频率点，所以不必太操心。

4、趋肤效应

趋肤深度
工程上定义从表面到电流密度下降到表面电流密度的0.368（即1/e）的厚度为趋肤深度或穿透深度Δ:

式中:
μ－导线材料的磁导率；
γ＝1/ρ－材料的电导率；
k－材料电导率（或电阻率）温度系数；

上图：不同频率下三种金属的趋肤效应深度（频率越高，深度越浅，越趋肤）；趋肤效应以传导的角度看，是希望趋肤深度深的，那表示导线的利用率高；但是对于屏蔽，是希望趋肤深度浅的，这样就能以较薄的金属屏蔽更多的电磁频段；50Hz的趋肤深度5～15mm，很难屏蔽……
用于屏蔽的金属应有良好的导电及导磁性能，厚度根据干扰的最低频率所产生的趋肤深度来定。一般1mm的低碳钢板或者1μm的镀锌层就能满足一般的应用。（这也是实际中常看到机箱壁上镀锌的原因）
5、孔隙
如果屏蔽体的整个壳体是无缝无孔的，那么对于30MHz的电磁波来说，要达到100dB的衰减效果不是难事。问题就在于他们不是无缝无孔的：

在一个完美的屏蔽壳体上开一个洞，相当于构成一个半波共振缝隙天线，屏蔽效能SE与孔的最大尺寸d、电磁波波长λ关系如下：

那么对于之前提到的30MHz，波长10m，假设有一个USB口（孔径对角线尺寸10mm），换算下来SE为54dB，d越大，SE越小。
我们常用到的电磁波频段：

我们在常规应用中制造出的干扰及谐波频段：

孔隙、平率与屏蔽效能的大致关系：

要达到40dB的SE，通常需要用导体垫圈、弹簧夹指来进行密封，注意内部元件与屏蔽罩的间距、数据总线与开孔和缝隙之间的距离。
还要注意，当屏蔽体中有电流，且电流的前进方向上有孔缝挡路，迫使电流绕行时，将引起孔缝类似天线而发射磁场，通过孔缝变化的电压产生磁场。

6、低频磁场的屏蔽
采用高磁导率的合金材料（如非晶合金、坡莫合金），按一定规格制成屏蔽罩，可大幅度减小磁场影响。

7、截至波导

8、垫圈
采用良导体，用于填缝，能承受一定的挤压变形，抗腐蚀、经久耐用.

9、可视组件的屏蔽

10、通风孔的屏蔽
将通风孔做成两种形式：
(1)金属网格（类似蜂窝铝板）
(2) (截至)波导

11、用喷漆或电镀的塑料
因为开模塑料美观轻便，所以时常使用，对这种情况，一般在塑料杯面喷涂导电材料，因为导电层厚度不可能太厚（微米级），实际效果不怎么样。
对于二类电器(class II)，还可能增加静电放电（ESD）的可能性。
二类电器：这类电器采用双重绝缘或加强绝缘，没有接地要求。

12、非金属屏蔽
如碳纤维或导电聚合物（导电塑料），但是无论如何其SE都不及金属的好。

13、屏蔽罩的安装

14、板级屏蔽

在将运算放大器作为比较器使用，可将四运算放大器芯片中未用到的一路用作比较器。但当您有一路空闲的运算放大器，但又不需要比较器时，应该如何处理呢？

如果运算放大器过驱动，输出级将会饱和到其中的一个电源轨，而且将消耗过多的电能。在未用运算放大器的许多常见配置中，都会导致过驱动。

如果所有端都空置，则存在着一定风险，杂散静电电场会引起输入超出电源轨，这可能会导致闭锁，甚至损坏整个芯片。即使没有发生闭锁，直流电场也可能引起放大器饱和，并造成功率浪费。另外，放大器可能会放大交流电场，而且如果存在过驱动的话，它本身的电源电流将受到大幅度的调制，并在片上其它放大器中引起串扰。

一些用户把一个输入连接到正电源，另一个输入连接到负电源，这同样会使输入饱和并浪费功率，也可能超过差分输入额定值并损坏器件。即使器件没有损坏，在这些条件下，一些输入级会汲取几十毫安的电流，以致被浪费的功率甚至会更多。

而将两个输入都接地，或把它们短接到某个其它电位，也会引起输出级饱和，这是由于运算放大器的失调电压绝不会完全为零；把它们短接在一起而进行偏置，同样存在上面提到的闭锁风险。

我们应该做的是，将这个器件连接成跟随器的形式(输出接到反相输入)，并将同相输入连接到电源轨之间的某个电位。对于双电源系统，地是理想的选择，但在单电源系统中连接到正或负电源，如果失调电压的极性错误，将引起饱和并导致功率浪费。由于运算放大器输入引起的负载很小，“电源轨之间的某个电位”可以是电路中任何电位合适的点。

或者您也可以将它用作缓冲放大器，把它加在系统某个并不是很需要的地方，但如果加上的话可能会稍好一些。